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        氮化鎵、碳化硅的HB-LED技術研究及發(fā)展

        作者:
        安徽新天源建設咨詢有限公司
        最后修訂:
        2020-07-03 15:13:39

        摘要:

        目錄

        【簡介】

         

        高亮度半導體發(fā)光二極管(HB-LED)是半導體照明的關鍵器件?;谒{寶石襯底的氮化鎵基LED具有成本較低,適合于大規(guī)模生產等優(yōu)勢,應用最廣泛。在藍寶石襯底上外延生長的氮化鎵由于晶格失配等原因,會產生應力,并導致比較大的位錯密度。沿極性面生長,又會使電子空穴波函數(shù)發(fā)生分離,從而導致發(fā)光效率的降低。因此為降低位錯密度、提高發(fā)光效率,在藍寶石襯底外延氮化鎵的HB-LED的技術成為當前研究的重要方向。碳化硅具有高熱導、耐高壓、高飽和電子漂移速率等優(yōu)異性能,與氮化鎵晶格的失配率遠優(yōu)于藍寶石,但是成本較高,在高亮度LED高端應用上有一定優(yōu)勢。本次沙龍就這兩種HB-LED的技術和發(fā)展前景進行了討論。

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        【主持人致辭】

         

        王玉富:現(xiàn)在學術沙龍活動開始。我們非常高興地邀請到趙麗霞研究員來做主旨報告。她報告的題目是"藍寶石襯底外延氮化鎵的HB-LED技術研究及發(fā)展趨勢";我們還邀請到了北京天科合達半導體股份有限公司的彭同華研究員,他報告的題目是"碳化硅襯底技術進展及在LED領域應用"。歡迎各位專家和領導參加今天的學術沙龍活動。下面報告開始,先請趙麗霞研究員作報告。

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        【主旨報告】

         

        趙麗霞:藍寶石襯底外延氮化鎵的HB-LED技術研究及發(fā)展趨勢

        1.藍寶石襯底外延氮化鎵的HB-LED中的科學及技術問題

        氮化鎵是直接帶隙的半導體材料,在光電應用方面具有獨特優(yōu)勢?;诘壍腍B-LED對于通用照明來說,其核心問題是發(fā)光效率。其中外量子效率主要取決于三個層面的因素,內量子效率、光提取效率,還有封裝方面的熒光轉化等效率,而且每個環(huán)節(jié)都息息相關。

        目前生長氮化鎵基的HB-LED,常用的襯底包括:藍寶石、碳化硅、硅、氮化鎵。其中,藍寶石襯底的應用還是比較廣泛。在藍寶石襯底上外延生長的氮化鎵由于晶格失配等原因,會產生應力,并導致比較大的位錯密度。沿極性面生長,又會使電子空穴波函數(shù)發(fā)生分離,從而導致發(fā)光效率的降低。

         

        2.藍寶石襯底外延氮化鎵的HB-LED技術研究現(xiàn)狀

        為了降低位錯密度,早期采用橫向外延技術,但是有一定局限性。隨著技術進步,目前主要采用各種圖形襯底,不僅可以緩解應力,提高晶體質量,而且可以提高氮化鎵和藍寶石之間的反射。在生長階段不需要掩膜,不間斷生長,大大簡化工藝。

        材料外延生長主要通過MOCVD技術。LED一般包括緩沖層、n型層、p形層、電子阻擋層等結構。通過LED量子阱、電子阻擋層及組分調控等的結構設計,可以改善載流子分布,提高發(fā)光效率,降低Droop效應。

        LED量子阱中發(fā)出的光子,在出光的過程中,由于吸收以及氮化鎵折射率比較大等問題,會使得大量光子在傳輸過程中產生損失,難以出射。通過透明電極,表面粗化,光子晶體等技術,可以減少吸收,改善光傳輸行為,提高光提取效率。

        封裝方面有熒光粉,特別是散熱。半導體芯片熱阻不大,但受到其他封裝材料的影響。因此,如何有效降低熱阻,對大幅度提高LED壽命和效率也至關重要。

         

        3.藍寶石襯底外延氮化鎵的HB-LED發(fā)展趨勢

        通過科學問題探討、技術改進,過去的十幾年,發(fā)光效率得到了迅速發(fā)展,2014年三位日本科學家由于在藍光方面的杰出貢獻,獲得諾貝爾物理學獎。現(xiàn)在,該領域也已開始向超越藍光和超越照明方面發(fā)展過渡,比如在紫外、單芯片白光、植物照明等領域都引起人們的關注,開展了相關的研究工作。

         

        第三代半導體材料在微電和固體電子學交叉領域也有獨特的優(yōu)勢,特別是在信息、能源方面。光通信方面,和傳統(tǒng)照明不一樣,LED基于半導體,除了照明之外,還可以實現(xiàn)短距離無線通信,目前我們通過量子阱的設計,已經可以達到700MHz,光功率也可以滿足自由空間光通信的需求。能源方面,通過對不同摻雜的氮化物進行腐蝕,還可以制備橫向多孔材料,不僅可以顯著提高光水解性能,穩(wěn)定性好。除此之外,基于該結構的MSM氮化鎵探測器,在紫外探測方面也具有明顯的優(yōu)勢。

        總的來說,以氮化物為代表的第三代半導體技術的發(fā)展"日新月異",我們也將緊跟新時代、新需求,勇攀科技高峰。也希望大家多多支持,我們通力合作,謝謝大家!

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        【邀請報告】

         

        彭同華:碳化硅襯底技術進展及在LED領域應用

        1.碳化硅襯底技術研究進展

        碳化硅具有高熱導、耐高壓、高飽和電子漂移速率、抗輻射、化學穩(wěn)定等優(yōu)異性能,主要應用在電力電子、高亮度LED、微波器件三大領域。

        碳化硅襯底的生長方法有三種:一是物理氣相傳輸法,該技術相對成熟,性價比高;二是高溫化學氣相沉積法,優(yōu)點是原料可持續(xù)供應,可精確控制原料中的碳硅比;三是液相法,尚處于研究階段。

         

        PVT法生長碳化硅存在以下技術難點,一是晶體生長溫度高達2300℃,直接精確控溫困難;二是很難獲得單一的碳化硅晶體結構;三是生長時原料易升華為非同成份其他物質;四是熔體法采用的縮徑-放肩技術不適用于氣相法碳化硅晶體生長,氣相法單晶直徑放大技術需自主研發(fā)。

         

        目前國際上使用的碳化硅襯底尺寸主要為4寸和6寸,2017年8寸產品已經展示出來了,但真正投入使用還需要2年時間。

        碳化硅晶體生長時如果臺階過寬,晶型沿 [0001] 方向的排列信息反應不出來,會在臺階上自發(fā)成核,發(fā)生晶型轉變。研究發(fā)現(xiàn),當晶體表面不光滑、不平整時,易發(fā)生多型相變,4H會發(fā)生6H和15R相變。另一方面晶型轉變與生長室氣氛相關,通過控制生長室氣氛解決了多型相變技術。

         

        研究發(fā)現(xiàn),層錯缺陷平行于C面,且層錯缺陷密度與生長氣氛有關,氮摻雜濃度越高,晶體中的層錯密度越大。

        目前工業(yè)級碳化硅襯底微管密度小于0.2個/cm2,層錯缺陷基本消除,基平面位錯工業(yè)級襯底小于800個/cm2。經預測,2019年碳化硅襯底市場約為3.5億美金,主要包括電力電子和微波領域,加上LED等其他領域應用,大概為8億美金。

         

        在我國,碳化硅襯底已經從實驗室的研究走上了產業(yè)化的道路。以中科院物理所的技術為基礎成立的天科合達公司已成立11年,突破了具有自主知識產權的碳化硅晶體生產設備研制、微管缺陷控制、多型相變等產業(yè)化關鍵技術。公司主要產品為2、3、4英寸導電6H碳化硅晶片和2、3、4、6英寸導電4H碳化硅晶片。目前總部設在北京市海淀區(qū),與中科院物理所建有前瞻研發(fā)中心,一個生產基地在大興,主要從事工藝穩(wěn)定性驗證和產業(yè)化,產品為4寸和6寸碳化硅晶片;另外一個生產基地在新疆,主要從事晶體生長的產業(yè)化。

        2、碳化硅襯底材料在LED應用

        LED領域有四種襯底材料,分別為藍寶石、碳化硅、硅及氮化鎵,其中氮化鎵襯底同質外延僅限于研究,尚未實用化。目前市場最大的是藍寶石襯底,其次是碳化硅襯底,最后是硅襯底。氮化鎵襯底性能最好;目前藍寶石性價比最高;碳化硅性能比藍寶石好,但價格也比藍寶石貴;硅襯底性能較差,但價格最便宜。

         

        碳化硅襯底具有很多優(yōu)勢,其晶格失配小,有助于提高外延材料質量;熱導率高,適合于大功率、高亮度芯片;襯底導電,可制備垂直結構發(fā)光器件;高發(fā)光效率,一個碳化硅基LED約相當于3個藍寶石基LED發(fā)光強度。

        由于碳化硅與氮化鎵外延層間存在晶格失配和熱膨脹失配,導致高翹曲度和高位錯密度。另外隨著碳化硅襯底尺寸加大,外延均勻性差,需優(yōu)化包括溫場和氣流場。

        2017財年美國CREE公司照明產品收入7億美元,LED產品收入5.5億美元,WOLFSPEED收入2.2億美元,合計約15億美元。量產產品發(fā)光效率超200LM/W。為了降低碳化硅成本和擴大碳化硅市場規(guī)模,CREE公司2014年到2017年主要發(fā)展6英寸產品。

        因碳化硅襯底價格較貴,在LED領域主要應用在中高端領域,包括碳化硅LED道路示范線、道路照明、重要的室內照明,中低端領域仍以藍寶石襯底為主。

        此外,美國CREE公司和三安光電于今年合資成立CREE VENTURE LED公司,其中CREE占51%,三安占49%。

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        【交流與討論】

         

        李致潔:LED發(fā)光效率跟溫度是怎樣的關系?

        趙麗霞:比如說剛才為什么說散熱問題。如果說溫度比較高的話,由于非輻射復合、還有俄歇復合等,會隨著溫度增加增高,降低發(fā)光強度。一般情況下希望溫度低一些,這樣對發(fā)光有所改善。而且如果LED長時間在發(fā)熱狀態(tài)下工作的話,高溫對壽命和可靠性都會受到影響。我們一般說盡量減小熱效應,量子阱的結溫,這樣不僅提高可以效率,而且也可以提高可靠性。

        王啟明:就算半導體要突破或者是響應的話,難度比較大,為什么能達到50G速率。

        趙麗霞:一開始看50GPS好像挺嚇人的,當時是我們做的,我們提供的是單顆器件,40多兆,單通道傳輸大約為400多M,系統(tǒng)里有多路,多顆LED器件,最后整個系統(tǒng)傳輸可以達到50GHz。現(xiàn)在我們已經可以提高到700多兆,所里也在做相關的工作,單路一個速率可以達到625M。我們希望通過一些方式可以達到1G,在自由空間,定位和通信方面都有它獨特的優(yōu)勢。

        王啟明:單核可以提高到1G的話,在光應用上就很有意思。第二個問題LED來做通信的話,它的不可替代性和應用在哪?

        趙麗霞:因為剛開始溝通的時候,這個報告是做一個HB-LED的報告,如果做光通信也可以講差不多快一個小時,就可以介紹LED在光通信的優(yōu)勢,首先和傳統(tǒng)RF相比,沒有電磁輻射,不受頻譜的限制,特別是軍工安全方面,在受到電磁干擾的場所,比如說航空、醫(yī)院等地用這種通信,還有水下通信、定位等等方面,短距離光傳輸都具有它獨特的優(yōu)勢。

        王啟明:貴州做這個路燈通訊的時候,我跟他們講沒有必要,因為現(xiàn)在手機網絡那么發(fā)達了,但是有一個不可替代性,比如說要追蹤恐怖分子的話,定位這一塊就不可替代了。

        趙麗霞:為什么剛才說做發(fā)光和探測一體化呢,比如說USB整個鼠標里面。如果器件發(fā)光和探測都坐在一起的話,小型化也是發(fā)展的趨勢,和互聯(lián)網結合等都有非常大的應用市場。

        鐘興儒:我覺得我們所應該好好組織應用方面的事,LED也十幾年了,我挺替我們所擔憂的,前段時間大功率電子器件報告時很多東西別人都做了。最近我在寫一個報告,我覺得寫的很差,還停留在藍寶石上面,對新技術沒有很好寫,比如說硅上面做外延,這是國際上的共識,要想減成本,做電子器件必須要在硅上做外延,國外取得了很大進展,在中國生產方面有很大進展,南京專門生產硅上面氮化鎵的片子了,我們走的太慢了,跟不上發(fā)展。

        我們要有緊迫感,半導體無論哪個器件研究已經處于成熟期,一旦抓住就要向應用方面擴展。你現(xiàn)在的這個課題我很欣賞,像水的電解問題,光通訊的問題,就像剛才王所長說的,找到一個不可替代的方向抓緊做,而且我希望所領導要去布置這件事情。有苗頭的就要做擴展,因為很成熟了,我聽領導說我們一年幾十個億,我覺得挺好了,后來我下面一打聽有的是咱們的10倍,我覺得我們應該好好發(fā)展,我希望所里領導好好抓抓應用,組織各方面的人才,我們所人才太單一了,物理方面我們是強項,人才方面我們不是強項,應該要把應用上面搞上去。

        趙麗霞;就像今天做這個報告之前,溝通之后做藍寶石襯底的大功率LED方面的報告,它的發(fā)展是什么情況。在2007,08年的時候,藍寶石基HB-LED發(fā)光效率就達到80每瓦時,整個全球開始走向應用。那么走向應用時,國內的科研機構應該怎么處理、面對。隨著藍寶石基LED技術成熟,在照明方面有它自己的優(yōu)勢。硅在2007,2008年國外加大研究力度,那個時候藍寶石已經開始進入市場,國外硅的技術也不斷發(fā)展,當時我們國家也有部署。剛才聽了老師說的這種恨鐵不成鋼的感覺,我也感到責任重大,針對一些關鍵問題,抓緊時間做。

        李致潔:第二個問題,小工藝的問題,一個LED芯片大概一平方毫米,8英寸或者是12英寸上有很多很多的,現(xiàn)在通過光刻的辦法每個LED芯片是圓形還是整個做的切割?

        趙麗霞:2英寸藍寶石制作小功率可以達到上萬顆,如果功率型器件的話,可以做成2000多顆,前面做芯片整個工藝,封裝過程中進行分選、切割。

        李致潔:如果切割的話邊緣,每個LED的P層、中間有過渡層,下面有N層。

        趙麗霞:你說的中間過渡是指量子阱?

        李致潔:你做切割做很多,LED芯片固定了它的位置、垂直結構,還有一種整片都去外延一個一個出來,然后你切割,切割以后每一層的界面就暴露出來,對性能有什么影響?

        趙麗霞:如果處理不好肯定對性能有影響。首先是外延,2英寸或4英寸進行外延生長,所有工藝流程走完之后,進行封裝。如果對于藍寶石的話,藍寶石非常厚,導熱、導電性要進行減薄,先劃裂,然后是需要給它進行相關的保護,保護完以后經過分選。

        李致潔:我國工業(yè)化芯片生產處于什么狀態(tài)?

        趙麗霞:咱們實事求是的說,基于藍寶石LED的話,首先第一梯隊是美國或是日本的。第二個是臺灣的藍寶石襯底上面生長還可以,大陸產業(yè)界還稍微落后,不過一直是一個加速的過程,畢竟我們中國投入藍寶石生長的LED是2003年半導體工程啟動以后才開始的,其他國家都是從90年代,我們國家是2003年之后才開始起步,發(fā)展有一個過程。

        江德生:剛才說碳化硅材料可以從新疆很好的獲得,碳化硅用什么原料?

        彭同華:用硅粉和碳粉合成,新疆硅粉比較便宜,新疆也有單晶硅的企業(yè),碳粉我們目前還在進口,用硅粉和碳粉在新疆合成,一方面硅粉價格較低,另一方面合成碳化硅粉時電價較便宜,使得我們的原料整體成本比較低。

        王啟明:做什么事都要有一個不可替代的目標,有所為有所不為。我們做LED有很多用途,我覺得作為一般照明來講LED亮度最終還是有限的,要從成本和習慣來講頂多跟現(xiàn)在的白熾燈差不多,要想法發(fā)揮它不可替代的作用。你剛才講碳化硅,作為普通襯底來講,應該還有硅。將來應該兩種襯底,藍寶石最終是要淘汰的,碳化硅要做高亮度的LED,在哪里?如果商用角度來講要便宜、兼容性,要選擇硅,硅的話國家在硅襯底的氮化鎵LED是江西的發(fā)明,這是很成功的,所以前年得了國家發(fā)明一等獎。要講究便宜,碳化硅我知道成本還是比較高的。那么我覺得將來做LED做室內通訊沒有意義,你說我到老遠打個電話來燈亮了,我的冰箱什么都自動開了,這個意義不大。你要碳化硅的話必須高亮度,高亮度包括大屏幕顯示沒有它不行。硅應該做什么?我覺得硅不一定要高亮度,但是必須跟硅的處理器兼容,我在硅片上面光源不一定很亮,做安保或者是反恐用,半導體所四周都有這個燈,現(xiàn)在通訊只是實時報道信息,我們這樣的話不僅實時還實地,要裝反恐的話,你跑那個地方路燈就告知了,如果能跟硅一起的話是得天獨厚的,我們的追求在普通商用燈泡的話要適可而止。

        我"瞎"提一個在石墨烯上面做氮化鎵,石墨的襯底,如果用石墨價錢很便宜,如果能做到在國際上還是原創(chuàng)性的突破。

        鐘興儒:我對碳化硅非常的關注,聽到你的報告我很高興。

        桂文莊:三安光電是什么企業(yè)?

        彭同華:是國內最大的LED企業(yè)。CREE是美國公司,做碳化硅襯底的LED,三安光電是國內的LED企業(yè),主要用藍寶石襯底,這兩個公司成立合資公司,合資公司設在國內。因為三安成本控制比較好,產業(yè)規(guī)模大,資本雄厚,但很難進入美國公司,CREE成本沒有很好競爭力,但在美國市場有很好的渠道,就各取所需成立合資公司。

        鐘興儒:你們取得成就是非常令人鼓舞的,我高度的贊賞,你剛才講到外延好像是作為一種方法,是器件的工藝。我覺得你們應該在這個基礎上向器件發(fā)展,CREE也是這樣做的,也是做器件,你剛才說做LED我跟王院士一樣覺得太不值了,就是碳化硅二極管能做出來非常了不起,而且應用非常廣?,F(xiàn)在開關電路里面,除了開關器件旁路就是碳化硅二極管,用這個東西就是很了不起的事。希望你們馬上開展氣相外延工作,因為是做薄層的,第一步就做二極管,然后電力電子器件,我看你們這樣的勁頭、進展一定會成功。

        彭同華:謝謝,我們現(xiàn)在主要做襯底這一塊,我們也希望能夠往下延伸,產業(yè)確實投資太大,包括外延、器件,每個環(huán)節(jié)投資都很大,襯底我們做了10年時間,襯底跟國外仍然有點差距,國外比我們早20年產業(yè)化運作。另外外延、SBD器件又是很大一筆投資,包括人才都很難的。

        鐘興儒:我們所很早就開始從事研究,你可以從基礎慢慢做起。

        江德生:在清河是不是有一家企業(yè)在做碳化硅二極管。

        彭同華:泰科天潤在做碳化硅二極管。

        江德生:我們有一個博士生在做碳化硅二極管。

        鐘興儒:如果大功率的外延片,你做單片外延是不困難的。

        王玉富:大家可以想象一下如果半導體有一個天科合達會是什么樣子?可能是鐘老師很多理想在半導體所天科合達實現(xiàn)了。

        鄭紅軍:半導體所在碳化硅襯底上這方面前期工作做的少一些,半導體所在外延、器件這部分應該說有非常先進的水平。孫國勝也和天科合達有合作,包括張峰那邊,這也是我們半導體所在碳化硅外延工作。接著彭博和趙博講完了,其實LED這塊李致潔老師在前幾次關于制定2017年沙龍計劃時,曾經給我們很多建議,國家從2016年開始,從"十三五"規(guī)劃看,對半導體照明這塊做出了很大支持,要做一些突破。LED來看半導體照明光源可以替代我們傳統(tǒng)的,優(yōu)勢在于體積小、壽命長,每個壽命可以做到10萬個小時,對環(huán)保、國家節(jié)能減排都有好處。在LED發(fā)光材料上,發(fā)光顏色和效率可能跟材料有關?,F(xiàn)在了解現(xiàn)在廣泛使用紅光、綠色和藍色,氮化鎵方面主要是在藍色等。

        但是在這里面我們今天講的主要是藍寶石、碳化硅,剛才在講的時候我思考幾個問題,這幾個材料在發(fā)光效率上藍寶石可以做到150lm/W,碳化硅可以做到200lm/W,在發(fā)光效率上確實體現(xiàn)差異。在物理基礎參數(shù)上體現(xiàn)了差異,比如說跟氮化鎵外延,從晶格匹配上,碳化硅上長氮化鎵確實好一些,藍寶石失配大一些,直接影響外延的質量。另外導電性、熱導率也是有差異的。

        藍寶石上氮化鎵在中低端用的比較多,碳化硅上氮化鎵在高端,發(fā)光效率比較高的。我也在思考,尤其鐘老師講的,究竟今后的發(fā)展,碳化硅上的氮化鎵如何能夠像藍寶石上的氮化鎵在整個市場,產業(yè)化市場上,尤其高亮度的需求量上比較多,涉及到成本問題,產業(yè)鏈不完善的問題,技術的瓶頸等,這些問題還是希望開會的兩位博士這方面,為我們國家在發(fā)展方面多在技術上和方向上多做些工作。我們半導體所老科協(xié)這些人希望多聽聽你們這方面的信息,也希望這方面多給大家做貢獻。

        王玉富:王老師剛才重點強調,不是說一般的東西我們不搞,一般東西是要搞的,但是特色的、主導的、重要的東西我們要優(yōu)先搞,什么東西具有不可替代性,充分發(fā)揮我們LED特點的東西。比如LED本身發(fā)的就是紫外光LED就可以直接利用,如果作為印刷、顏料固化恰好有這樣需求,目前大部分都是管燈,它的效率是百分之十幾的樣子,可能是一個重要的發(fā)展方向,世界上很重視,都在做,已經進入產品開始推廣階段,但是還有很多很多問題,要真正抓住這樣的機會,現(xiàn)在全世界百分之七十到八十的印刷業(yè)務都進入我們廣東生產了。

        王德斌:我們在廣州公司就是做UV燈,就是汞燈,高壓汞燈。用于一分鐘2萬個可樂杯、皮子、木地板等的印刷機。UV燈這個東西有什么特點,在中國我是第一個2008年把它從傳統(tǒng)變壓器轉成電子變壓器,2008年以前全是變壓器,一個變壓器串連一個電感。說LED照明節(jié)能,只節(jié)燈泡錢,跟工業(yè)應用相比差太多了。比如說油漆桶、可樂杯印刷,需要幾臺機器,每個20多千瓦,效率只有5到10%,廣譜的,可利用的就是單一波長395nm或者是420nm,油墨決定的。我們印刷就是噴油墨,然后過去就干了。假如用LED純粹做UV紫外線就用395nm,油墨需要什么它就給什么。500瓦就搞定。

        王玉富:有21千瓦與500瓦的巨大差別。

        王德斌:目前情況下我們客戶LED、UV也是在中國做新的產業(yè)化,2020年就不允許采用有污染的汞,因為傳統(tǒng)的燈管如果報廢了汞就在空氣中,對環(huán)境是有污染的。所以不允許采用燈管式的。這是北京郵電學院做的,主要印刷業(yè)為主。日常生活中所見到的任何東西,凡是印刷相關的,大都不是紅外線固化了,全都是UV固化的。LED UV有一個毛病襯底容易老化,發(fā)光的紫外線是高能量,很容易襯底就老化了,我們在做什么?我們搞水冷,通水冷卻,在工藝上還有很多簡化的東西。我們認為UV獨立的光譜,這個市場前景很大。1厘米發(fā)光長度是80到200瓦,印刷大的話,最長的是2.4米,全部是UV,因為不用等待,馬上生產、馬上打包,直接出貨。包括平常用的標簽紙都是UV,UV LED使用是很好的,希望你們能解決這個問題。

        剛才鐘老師講的問題碳化硅太貴,我用功率管,普通的IGBT用75度就可以了,喜歡用高一點的話,體積減小,減小很多。剛才鐘老師說的很對,碳化硅做的東西能不能材料價格降下來,溫度升上去,我們用這種電子元器件就非常喜歡。

        彭同華:碳化硅這塊確實價格比較高,同樣尺寸襯底碳化硅和硅相比可能高于10倍,正是因為這個問題,整個碳化硅產業(yè)界都在想盡辦法降低碳化硅成本,目前還仍然需要時間積累,包括規(guī)模效應,技術提升,單位產出。碳化硅目前這塊性能很明顯,無論是做LED、電力電子也好,做LED性能好、做電力電子性能也好,在高端領域也在用碳化硅,包括新能源汽車充電樁也在慢慢占領硅的市場,軌道交通這塊也在做工作。LED這塊做的慢有原因,CREE公司做的比較早,一方面做的比較早,技術壁壘比較高,核心技術比較強。但是CREE公司主要是96、97年申請專利比較多,今年大致是一個分水嶺,陸續(xù)很多專利到期,這個是可以慢慢的繞過專利壁壘的。

        產業(yè)發(fā)展確實需要龍頭企業(yè)帶動,包括LED這塊,像三安和CREE公司合資,三安一方面資金沒有任何問題,也是LED國內的龍頭,跟CREE公司合資公司做這一塊,未來在CREE公司帶動下,國內的碳化硅基LED會發(fā)展壯大;另一方面,碳化硅襯底企業(yè)做大以后,也可以向下游延伸做LED,LED相關產業(yè)鏈短一些,電力電子器件產業(yè)鏈太長了,不可能一個企業(yè)做全產業(yè)鏈,因此未來有幾種方式碳化硅基LED市場擴大。

        王啟明:山東大學10年前做直拉碳化硅的。

        彭同華:應該不會,碳化硅升華,不會直拉,可能是指一個傳動機構,整個線圈在移動。碳化硅材料沒有熔體狀態(tài)。

        王啟明:你用高溫氣相生長碳化硅襯底籽晶是什么?碳化硅襯底價格趨勢怎樣?

        彭同華:籽晶是碳化硅,氣源就是丙烷和硅烷。碳化硅襯底基本上每年價格會降15%,今后5年價格還會降。

        王德斌:一開始UV燈是我們做出來的,德國人賣給我們是8000歐,我們現(xiàn)在做出來就沒有那么貴了。

        王玉富:電力電子非常重要的機會,歐洲很多國家,2025年到2040年期間,禁止產銷汽油車,第二個是產業(yè)變革,我們國家政府有一個響應,作為人類工業(yè)過程,到2040年是很短的一瞬,這個一定涉及整個電力電子,沒有比它再熱的產業(yè)了,整個社會發(fā)展沒有比它更熱的學科了,這方面確實應該引起半導體所、中國科技界非常非常大的重視才可以。

        2008年開始整個全球經濟危機,到現(xiàn)在為止經濟危機結束了嗎?我認為沒有結束,以前大的經濟危機,一戰(zhàn)、二戰(zhàn)靠打仗結束,現(xiàn)在靠什么來結束經濟危機?靠大的產業(yè)變革,現(xiàn)在電力電子正是機會,要想結束經濟危機要靠分布式發(fā)電系統(tǒng)大產業(yè)轉化結束經濟危機。上世紀50、60年代,日本要把美國買了,后來很順利的把這個事情扭轉了,很多人認為是日元升值了,我認為就是靠英特爾、微軟把日本打敗了。你現(xiàn)在看日本半導體產業(yè)在哪里,日本計算機產業(yè)在哪里,你沒有半導體位置,計算機產業(yè)的位置,美國80年代翻身了,我認為這是根本性的原因?,F(xiàn)在也是非常好的機遇,我們國家要想真正的處于世界領頭羊位置,真正有我們自己位置一定要抓住電力電子產業(yè)引發(fā)的變革,我們國家不要2040年,我們2020年不行,2025年不行,2030年行不行,一定要下決心中國真正做到世界領頭羊。希望我們國家、半導體所能夠在這樣變革中找到我們自己的位置。不是說我們自己搞的,從80年代就搞電力電子,我覺得國家處于這樣的位置。

        鐘興儒:現(xiàn)在我們中國進口的集成電路,國家有一個統(tǒng)計計算,集成電路花的錢跟石油相當?shù)模覀儸F(xiàn)在要節(jié)約石油、少用石油,它是污染的,在風力和光電發(fā)電,這樣我們直排放減少了。半導體里面的功率器件已經二分之一以上的,過去是一半一半,這個非常重要。我們應該向這個方向走,恰恰我們這個方面比較薄弱。

        王玉富:電力電子這個學科恰好結合功率半導體,電子學系統(tǒng),結合了電氣制造、甚至是機械制造邊緣學科。我從80年博士畢業(yè)以后一直從事這個學科,很遺憾自己孤軍奮戰(zhàn)這么多年,剛剛交了5.5萬專利年費,在國內主專利很遺憾我們出現(xiàn)一些狀況。交直流轉化這個太重要了,電網也好、電動車也好都是交直流轉化,凡是AC、DC等,都離不開我的BPCD,桂局是理解非常深刻的,這個對世界非常重要的,特別是微電網。再有5年時間主專利就失效了,好在是我個人報的,還有系列的后續(xù)專利,有的我們晚交專利費擱置了。

        鐘興儒:其實集成電路的那些人應該負責任的。

        王玉富:要搞集成的,這個本身對世界太重要的,交流直流轉化,并且要多次交直流轉化,小區(qū)里面供電里面交流直流供電短時間改變不了,發(fā)電很大一部分是交流發(fā)電,BPCD太重要、太重要了。

        鐘興儒:前一段時間咱們電視片放的,我們現(xiàn)在中國直流輸電1000千伏,以前是500千伏,1000千伏是世界第一,別人達不到,其中里面就大量用IGBT。電力電子器件對電力工業(yè)像是人類的心臟,電力是血液,高壓輸電到每個機器都要去控制。電視片里面的我們的港口機械都是電力設備,需要電力電子去支持。美國人用國旗把從我國進口的佛羅里達港口機械的商標遮住,因為特朗普要在那里發(fā)表重視工業(yè)的演講,海灣風很大把國旗吹起來就看到了中國標牌,很沒有面子。這么一個事例,也說明美國人開始青睞咱們設備了,就是在電力電子方面的。

        王玉富:我認為碳化硅優(yōu)勢就是在輸配電方面。

        廖顯伯:壓縮了很多層次,核心部件。

        江德生:你搞變頻、升壓、降壓。

        王玉富:整個共模干擾造成輸配電損害影響太大了。

        鄭紅軍:目前CREE公司內部做碳化硅晶片,要么在功率器件上做二極管,CREE公司內部自己走的自循環(huán)是不是在LED有投入,做功率二極管方面少一點?

        彭同華:CREE公司碳化硅襯底和功率器件總收入只有2.2億美金,重點在LED方面。

        鄭紅軍:主要是LED,在高端上,1-3W,剛才講的200好像在一年前是穩(wěn)定化量產的200lm/W左右,目前應該在300lm/W左右差不多了吧。

        彭同華:300多l(xiāng)m/W是研究結果,研究結果藍寶石也有超過200lm/W的。

        鄭紅軍:高亮度LED主要需求是在大屏幕上必須要,要用大功率的。常規(guī)是藍寶石,藍寶石差不多在150lm/W。

        彭同華:是的。

        鄭紅軍:發(fā)光效率是不是跟質量、缺陷相關,缺陷方面可能藍寶石氮化鎵失配比較厲害,還有熱導率上方面的差異。

        江德生:現(xiàn)在他們的日子不太好過,原來硅襯底比藍寶石便宜,有價格優(yōu)勢,現(xiàn)在藍寶石襯底價錢跟硅襯底價錢一樣。

        發(fā)言人:藍寶石外襯片多少錢?

        趙麗霞:2英寸差不多10美元左右。

        發(fā)言人:硅2寸沒有那么貴。

        趙麗霞:硅襯底在微電子和光電交叉融合有一個潛在的優(yōu)勢。

        張  韻:藍寶石LED已經做到180了。

        趙麗霞:我們直接買就是196,就是商用的,調制帶寬也測了,白光很低,就只有幾兆。

        張  韻:硅吸光,后續(xù)的比藍寶石復雜一點,這一塊也增加很多成本。

        江德生:你原來的題目叫HB-LED指的是什么?

        趙麗霞:高亮度。

        李致潔:一瓦以上就可以叫HB。

        趙麗霞:對,功率型是一種,現(xiàn)在還有微LED,中功率等等,由于它整個在室內照明也有它的獨特優(yōu)勢,碳化硅在0.2、0.5用的比較多,可靠性有它的特點。

        桂文莊:高亮度邊界在什么地方?

        趙麗霞:如果尺寸小的時候肯定一顆發(fā)出來的光弱一點,一開始為了提高發(fā)光,增加面積,用1乘1。一般功率型都是1瓦以上,像3瓦都是功率型的。

        桂文莊:高亮度應該有一個明確邊界。

        趙麗霞:2007、08年達到80 lm/W,這也是CREE等那個時候推進應用的時候。那個年代傳統(tǒng)照明還在質疑,各方面不合適,后來發(fā)現(xiàn)一下就變了,有點應接不暇。半導體這塊,比如說通信、能源,每次交叉,給出來的變革是一個顛覆性的,也會改變剛開始對整個理念的認知。

        王啟明:很高興,一個是聽了兩位年輕科研帶頭人做了很好的報告,看到了半導體的未來,沙龍一年才輪到一兩次,上次跟張書記提了建議,應該所里做一個安排,所里年輕人都到這里做做報告,把離退休的請過來聽一聽你的研究方向。離退休的同志雖已離開第一線多年,但是他們有一個有利的方面,畢竟見多識廣,盡管不是非常前沿了,很難提出針對性的具體意見。但是當局者迷旁觀者清,可以在方向上給大家提供參考意見,所以我建議像這種會老干部處把所長和副所長也請來聽一聽。

        王玉富:現(xiàn)在院老科協(xié)給機會,一年能搞兩次。

        王啟明:不光是半導體所,還可以邀請跟半導體方面比較相臨近的,比如說像通訊的、計算機的請一兩位來聽一聽,這樣交流對所里有很大的幫助。今天聽了報告覺得他們都很棒,很好。

        第二個是,非常難得的跟老同志、老領導一起活動,我們有些不經常見面的,像桂局我們很長時間沒見面了,差不多10年,很難得這個機會。

        張  韻:在各位老師面前絕對是小學生,講話不敢當,跟大家匯報一個我所知道的比較新的情況,國慶前我們一直期待了很多年的一個重點新材料研發(fā)重大項目,相當于專項,像01、02專項的重大工程項目立項了。這最早黃昆先生提的,大概2011年、2012年起一直在向國家做匯報,據(jù)我所知國慶節(jié)之前通過了像國務院領導的匯報。是國家第一個在新材料領域的一個重大專項。里面有7、8類,很重要的一類是第三代半導體材料。重大專項一般是15年的,會支持到2030年,力度會比重點研發(fā)大一到兩倍的量級。我本人也參與了撰寫的工作,比較了解這個情況。這件事的意義還在于能調動國家很多資本投資力量。今年感覺很明顯,之前投資商不太關心半導體,特別是不關心材料領域,現(xiàn)在都會向我們咨詢這方面的問題、項目。感覺國內有點風起云涌,開始往這個方向投資的感覺,我覺得這個是最重要的結果,一個收獲。

        咱們所對專項的醞釀參與很多,包括副所長、助理做的一些工作。剛才鐘老師說的我非常有感觸,后續(xù)咱們所的定位、迎接挑戰(zhàn)在這幾年還是非常重要的,在新形勢下不是一枝獨秀了,不是我們關起門來搞科研,我們面臨很多新形勢,現(xiàn)在可以從國外市場買到一些新技術,包括我們自己LED項目最后沒有非常明顯結果也是跟這個有關系,這種新情況下我們如何應對,在國家立了項后如何體現(xiàn)我們的作用,這是非常關鍵的。

        另一方面至少很欣慰的,我們在人才培養(yǎng)方面還是比較突出的,整個國內這方面人才,包括畢業(yè)了不在我們所工作,應該說開花結果,占了這個領域的半壁江山。下一步如何保持我們的作用,這個一定會向所領導轉達到,看看下一步如何把事情更好的做好。剛才王先生提的非常好,我是第二次來老科協(xié)沙龍,第一次是討論太陽能電池方面的。我也特別愿意來,我今天有一個培訓,中午還要開車趕去。我為什么特別愿意來,想聽老前輩說的真知灼見,肯定都是真話;第二你們有這么多年整個業(yè)界經驗,這是完整的故事。我們一些年輕科研人員只顧眼前東西,很少考慮長遠的東西,老先生可以給我們很好的長遠的例子,雖然背景和現(xiàn)在不一樣,但是和現(xiàn)在基本道理是一樣的,對我們整體長遠發(fā)展有幫助的。王先生的建議也會向所長傳達到,能不能把論壇、活動擴大化。不光是臺上這些人在講,下面還有研究生在聽。

        桂文莊:今天聽了兩位年輕的專家給我們做的報告,講到了一個非常重要的事情,我們國家下一步產業(yè)化關鍵的技術。大家討論也是非常的熱烈,從技術本身一直討論到整個發(fā)展的戰(zhàn)略和我們國家在這些方面的前途,討論得非常好。

        今天大家討論到技術轉化的問題。今天的環(huán)境已經和十幾二十年前大不相同了。今天我們研究所要干什么,我覺得最重要的是要看到技術前沿在哪里,在我們用什么辦法來超越世界,來為我們國家企業(yè)發(fā)展提供新的技術、提供我們自主的技術,能夠使得我們變成真正的技術強國,不是老是在引進別人的技術,要從這件事情入手。因此更加重視搞好基礎和前沿的工作,這是我們對研究所的要求。我們不能去重復市場上、產業(yè)界已經在做的事情,那我們做就沒有用了。但是這并不代表著我們不要重視應用了,我們就管前沿,就管技術,做點文章出來,絕對不是這樣的,而是要想到我們技術怎么能夠引領國家的發(fā)展。所以我覺得我們研究所恐怕要更加開動腦筋在新的環(huán)境下怎么樣把工作做好,既要搞好技術前沿,這是我們進一步發(fā)展創(chuàng)新的源泉。同時我們還要注意我們研究出的技術要用,怎么用?這個應用也和我們十幾二十年前不一樣了,那時候我們不得不去找一點資金、一個小課題,搞一點錢,搞一個小作坊把東西推出去,這樣不行的。我們半導體方面的應用,一般投資都是比較大的,一定要和企業(yè)界非常緊密的結合。如何把我們和企業(yè)界密切的結合,把社會的投資能夠吸引到這方面來真的要動腦筋。所以對我們來說,下一步所的發(fā)展要從這兩個方面搞。一方面基礎前沿,抓緊抓好,一頭要把前沿真正好的技術和企業(yè)密切的結合起來推向應用。

        另外一方面今天講到的技術應用的問題。我覺得,碳化硅到底該不該做LED,到底是藍寶石襯底LED有前途還是硅上的LED有前途,這個不好下結論。一方面是技術因素,另外一方面是價格因素。成本和價格是非常非常重要、非常非常關鍵的事情。但是也不見得說現(xiàn)在貴將來就一定沒有前途。碳化硅LED現(xiàn)在說是貴,比硅要貴10倍以上,如果過些年成本下降一些,加上壽命更長等綜合算起來,有沒有前途?因為市場有這個規(guī)律,要是現(xiàn)在賺不了錢,資金鏈一斷就完了,所以這個到底要怎么樣做,是要從市場考慮的。這個事情就需要我們科研人員和企業(yè)家密切的結合,密切的聯(lián)系,從不同的方面,從技術、市場、價格、成本、發(fā)展可能性等等各方面去權衡才能夠得到比較正確的結論。這些事情都值得我們進一步深入研究探討的事情。希望我們半導體最后研究的技術真正能讓我們國家用上,給我們國家產業(yè)發(fā)展提供核心技術,我們將來走到什么地方可以說這個是我們半導體所出來的,我們國家搞出來的。光有技術不行,一定要和企業(yè)結合,這是我的一點感想跟大家分享。


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